半導(dǎo)體是一種特殊的材料，其電學(xué)性質(zhì)介于導(dǎo)體和絕緣體之間。
一、物理特性
導(dǎo)電性特點(diǎn)
導(dǎo)體（如銅、鋁等金屬）具有良好的導(dǎo)電性，是因?yàn)樗鼈儍?nèi)部有大量的自由電子，這些自由電子可以在電場(chǎng)作用下自由移動(dòng)，從而形成電流。絕緣體（如橡膠、陶瓷等）內(nèi)部幾乎沒有自由移動(dòng)的電荷，所以很難導(dǎo)電。
半導(dǎo)體在純凈的狀態(tài)下，導(dǎo)電性能較差。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體材料（如硅、鍺等）內(nèi)部的價(jià)電子（最外層電子）被原子核束縛得比較緊，不能像導(dǎo)體中的自由電子那樣自由移動(dòng)。不過，在一定條件下，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)發(fā)生顯著變化。
對(duì)溫度、光照等因素的敏感性
溫度對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能影響很大。當(dāng)溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體材料內(nèi)部的價(jià)電子獲得足夠的能量，能夠擺脫原子核的束縛，變成自由電子，同時(shí)產(chǎn)生空穴（空穴可以看作是帶正電的粒子）。這些自由電子和空穴的數(shù)量增加，使得半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力增強(qiáng)。例如，純凈的硅在室溫下導(dǎo)電性較差，但當(dāng)溫度升高到一定程度后，它的導(dǎo)電性能會(huì)明顯提升。
光照也會(huì)影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。某些半導(dǎo)體材料在光照時(shí)，光子的能量可以使價(jià)電子躍遷到導(dǎo)帶（電子能夠自由移動(dòng)的能帶），從而產(chǎn)生更多的自由電子和空穴，增加導(dǎo)電性。這種特性使得半導(dǎo)體可以用于制造光敏元件，如光敏電阻。光敏電阻在光照強(qiáng)度增加時(shí)，電阻值會(huì)減小，從而改變電路中的電流。
摻雜特性
半導(dǎo)體可以通過摻雜來(lái)改變其導(dǎo)電性能。摻雜是指在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入少量的雜質(zhì)原子。例如，在硅中摻入五價(jià)元素（如磷），磷原子會(huì)取代硅原子的位置，由于磷原子比硅原子多一個(gè)價(jià)電子，這個(gè)多余的電子很容易成為自由電子，從而使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性增強(qiáng)，這種摻雜后的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。
相反，如果在硅中摻入三價(jià)元素（如硼），硼原子會(huì)取代硅原子的位置，由于硼原子比硅原子少一個(gè)價(jià)電子，會(huì)形成一個(gè)空穴，當(dāng)周圍的價(jià)電子填補(bǔ)這個(gè)空穴時(shí)，又會(huì)產(chǎn)生新的空穴，這些空穴可以移動(dòng)，使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性增強(qiáng)，這種摻雜后的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。通過這種摻雜方式，可以制造出具有不同電學(xué)特性的半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管等。
二、應(yīng)用領(lǐng)域
電子器件制造
半導(dǎo)體是制造集成電路（IC）的關(guān)鍵材料。集成電路是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心部件，它將大量的晶體管、電阻、電容等電子元件集成在一塊小小的半導(dǎo)體芯片上。例如，計(jì)算機(jī)的CPU（中央處理器）就是一種高度復(fù)雜的集成電路，它包含了數(shù)十億個(gè)晶體管，這些晶體管都是基于半導(dǎo)體材料制造的。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它具有放大、開關(guān)等功能，是電子電路中不的可的或的缺的元件。
二極管也是一種常見的半導(dǎo)體器件。它具有單向?qū)щ娦?，即電流只能從一個(gè)方向通過，這種特性在整流電路（將交流電轉(zhuǎn)換為直流電）中非常重要。在電源適配器中，二極管就起到整流的作用，將交流市電轉(zhuǎn)換為直流電，為電子設(shè)備供電。
通信領(lǐng)域
新能源領(lǐng)域
更新時(shí)間：2025-05-08 
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